清能德创申请高功率密度下氮化镓功率器件保护电路专利，减小氮化镓器件在高电压变化速率条件下的振荡和电压尖峰耦合

国家知识产权局信息显示，清能德创电气技术（北京）有限公司申请一项名为“一种高功率密度下氮化镓功率器件保护电路”的专利，公开号CN121770373A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种高功率密度下氮化 the镓功率器件保护电路，通过在直流母线正极端P与桥臂中点之间以及桥臂中点与直流母线负极端PGND之间分别设置上桥臂功率器件和下桥臂功率器件，并明确二者均为氮化镓功率器件，同时在结构上限定下桥臂功率器件与PGND之间不串联电流采样电阻，使得功率器件本身构成的电流回路最为紧凑，减少了由采样电阻及配套走线引入的寄生电感、电容，由此可以减小氮化镓器件在高电压变化速率条件下的振荡和电压尖峰耦合。从整体上有助于缓解现有技术中功率回路寄生参数难以有效抑制、氮化镓功率器件安全可靠工作难以保证以及过流保护检测精度与响应速度难以兼顾的问题。

天眼查资料显示，清能德创电气技术（北京）有限公司，成立于2012年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3123.2129万人民币。通过天眼查大数据分析，清能德创电气技术（北京）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息168条，此外企业还拥有行政许可2个。

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