珏芯微电子申请碲镉汞芯片及其制备方法专利，有利于提高产品良率

国家知识产权局信息显示，浙江珏芯微电子有限公司申请一项名为“碲镉汞芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121772396A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种碲镉汞芯片及其制备方法，其中，在碲镉汞芯片的制备方法中，半导体衬底上依次形成有碲镉汞器件层、钝化层以及光刻胶层，半导体衬底上还形成有若干贯穿光刻胶层和钝化层的通孔，通孔内形成有干法刻蚀后产生的残留物，以及光刻胶层表面形成有干法刻蚀后产生的变性胶层；执行干法去胶工艺，去除变性胶层以及大部分的光刻胶层；执行超声清洗工艺，去除剩余部分的光刻胶层，以及去除通孔内的残留物，如此去除光刻胶层以及通孔内的残留物，避免残留对后续刻蚀碲镉汞器件层时造成损伤，有利于提高产品良率。

天眼查资料显示，浙江珏芯微电子有限公司，成立于2019年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35131.764706万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江珏芯微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息232条，此外企业还拥有行政许可14个。

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