华进半导体申请复合金属网格结构专利，有效降低器件高电流区域电压降

国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“复合金属网格结构、芯片封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121772728A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体封装技术领域，公开了复合金属网格结构、芯片封装结构及其制备方法。复合金属网格结构设置在芯片与电传输结构之间，包括设置在芯片的高功耗区的第一分部和设置在芯片的低功耗区的第二分部，第一分部包括若干第一线条；第二分部与第一分部相连通且具有若干第二线条，第二线条的宽度小于第一线条的宽度。本发明，将位于芯片和电传输结构之间的复合金属网格结构进行区域差异化设计，在空间上使得复合金属网格结构整体呈现非均匀分布，实现电流传输能力的按需分配，将其用于器件电流分配，有助于实现芯片封装结构电气性能的精准匹配，有效降低器件高电流区域电压降的同时，也能够有效提升器件整体性能。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本72064.22万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1130条，此外企业还拥有行政许可55个。

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