华进半导体申请一种半导体封装结构及其制备方法专利，可以对第一芯片进行主动、快速的散热

国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种半导体封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121772748A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装结构及其制备方法，包括：主动散热模块，包括层叠的测温层和散热层；测温层内集成有多个测温热电偶；散热层包括第一线路层、第二线路层、以及位于第一线路层和第二线路层之间的多个水平间隔排列的P型半导体导电柱和N型半导体导电柱；第一线路层中包括多个第一导电块；第二线路层中包括多个第二导电块；散热层包括至少一个散热单元，每个散热单元中，多个第一导电块和多个第二导电块将P型半导体导电柱和N型半导体导电柱串联；第一芯片，设置于散热层背向测温层一侧。本发明可以对第一芯片进行主动、快速的散热，有效提高散热速度和芯片的性能，消除控温响应延迟。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本72064.22万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1133条，此外企业还拥有行政许可55个。

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