青禾晶元申请SOI材料制备方法与晶圆专利，避免引入各种缺陷造成的性能问题

国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆”的专利，公开号CN121772710A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明属于半导体加工制造技术领域，本发明提供了一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆，该制备方法包括在第一衬底上依次制备形成氮化铝层、氧化铝层和顶层硅，得到第一键合体；提供设置有埋氧层的支撑衬底作为第二键合体，对第一键合体与第二键合体实施键合，得到键合结构；再依次去除键合结构中的第一衬底、氮化铝层与氧化铝层，暴露出顶层硅，得到SOI材料。通过外延生长、键合与去除工艺的搭配来替代并省略离子注入工艺，可以避免引入各种缺陷造成的性能问题，且有利于实现对顶层硅厚度和埋氧层质量的精确控制，还有利于降低工序的复杂度和工艺成本，特别适用于300mm及以上大尺寸SOI晶圆的批量生产。

天眼查资料显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司，成立于2022年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可17个。

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