中车时代半导体申请减少SiC材料激光退火析碳量方法专利，有效减少碳的析出以及降低析出的碳的粒径

国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料”的专利，公开号CN121815728A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料，所述方法包括：步骤(1)：在SiC衬底背面形成硅镍合金层；步骤(2)：在形成的硅镍合金层表面进行激光退火处理，以使硅镍合金层与SiC衬底形成欧姆接触；采用本发明的方法不仅能够有效减少碳的析出以及降低析出的碳的粒径，而且还使得硅镍合金层与SiC衬底形成良好的欧姆接触，具有较低的比接触电阻率。

天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3589次，专利信息606条，此外企业还拥有行政许可91个。

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