中车时代半导体申请基于IGCT的固态直流断路器模块专利，提高了整体稳定性和响应速度

国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“一种基于IGCT的固态直流断路器模块”的专利，公开号CN121841334A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种基于IGCT的固态直流断路器模块，上压板和下压板之间通过螺杆一连接，散热器一的数量比IGCT数量多一个并与IGCT交叠设置，散热器二的数量比快恢复二极管一的数量多一个并与快恢复二极管一交叠设置，散热器一及散热器二与下压板之间均设置有绝缘垫块一，散热器一及散热器二与上压板之间均设置有绝缘垫块二并通过位于上压板内侧的两个施力机构对应抵接；压敏电阻安装在散热器二背离散热器一的一侧，RCD保护单元安装在绝缘板上，绝缘板安装在上压板和下压板上并位于散热器一和散热器二的一侧。本发明结构紧凑且易于维护，压力均匀并减小了杂散电感，提高了整体稳定性和响应速度。

天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3701次，专利信息627条，此外企业还拥有行政许可92个。

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