中车时代半导体申请半导体结构及其制备方法专利，提高半导体结构的性能和良率

国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121843169A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底层，衬底层包括管芯区和围绕所述管芯区的划片区；位于衬底层上依次层叠设置的第一外延层至第N外延层；划片区上的第一外延层至第N外延层所处的同一位置均具有若干对准标记，且若干对准标记间隔设置；其中，部分第n外延层用于填充第n‑1外延层中的对准标记；N为大于或等于2的整数，n为大于或等于2且小于或等于N的整数。能够保障不同外延层间的对准监控情况且提高半导体结构的性能和良率。

天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3733次，专利信息627条，此外企业还拥有行政许可92个。

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