中车时代半导体申请半导体结构及其制备方法专利，半导体结构的反向耐压特性提高

国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121843138A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的外延层；位于外延层中的电场屏蔽区和掺杂区，掺杂区位于电场屏蔽区背离半导体衬底层一侧，且外延层背离半导体衬底层的一侧表面暴露出掺杂区；位于外延层背离半导体衬底层的表面的金属层，金属层和电场屏蔽区之间至少部分正对区域与掺杂区不重合；电场屏蔽区和掺杂区的导电类型相同且与外延层的导电类型相反。半导体结构的反向耐压特性提高，且反向漏电特性降低。

天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3733次，专利信息627条，此外企业还拥有行政许可92个。

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