驰拓科技申请磁随机存储器及其制作方法专利，提高磁随机存储器的硬故障良率

国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种磁随机存储器及其制作方法”的专利，公开号CN121865626A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种磁随机存储器及其制作方法，包括准备具有接触孔的基底；在所述基底的上表面生长金属层；刻蚀所述金属层，在所述基底的边缘区域产生金属碎片；刻蚀所述基底的所述边缘区域，在所述边缘区域形成边缘缺口；沉积磁性隧道结膜层结构。本申请中的制作方法在基底上沉积金属层，刻蚀金属层之后，对基底的边缘区域进行刻蚀形成边缘缺口，从而将刻蚀金属层的过程中在基底边缘区域产生的金属碎片去除掉，即去掉基底边缘金属残留，解决由于边缘区域处金属残留造成的碎片缺陷，进而提高磁随机存储器的硬故障良率。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目99次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息482条，此外企业还拥有行政许可8个。

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