全芯智造申请半导体器件仿真方法专利，提升离子/粒子注入仿真物理精度

国家知识产权局信息显示，全芯智造技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件的仿真方法、电子设备和计算机可读存储介质”的专利，公开号CN121881773A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开涉及一种用于半导体器件仿真的方法、电子设备和计算机可读存储介质。该方法包括：获取所述半导体器件的仿真区域，所述仿真区域包括多个网格单元；针对所述多个网格单元中的每个网格单元，获取表征所述网格单元的仿真状态的一个或多个物理量；以及基于所述一个或多个物理量与相应的阈值的比较，将所述多个网格单元中对应的网格单元确定为位于所述缺陷敏感区域中的缺陷敏感网格单元；以及针对所述缺陷敏感网格单元，基于缺陷的分布状态确定缺陷能级。本公开的实施例能够有利地提升离子/粒子注入仿真物理精度。

天眼查资料显示，全芯智造技术股份有限公司，成立于2019年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，全芯智造技术股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目63次，财产线索方面有商标信息220条，专利信息222条，此外企业还拥有行政许可5个。

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