格恩半导体取得激光发光器件结构专利，提高器件稳定性

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种激光发光器件结构”的专利，授权公告号CN224153764U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型涉及一种激光发光器件结构，由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间，所述第一半导体层设置在衬底上；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的正极；第一导电层、第二导电层、正极共同组成第一电连接层；覆盖于第二半导体层部分表面的第一绝缘层；第一绝缘层在蚀刻脊的过程中包覆第一导电层和第二导电层侧壁。本实用新型在蚀刻脊的过程中，隔绝了第一导电层和第二导电层，避免蚀刻气体与第一导电层和第二导电层发生反应，从而提高器件的稳定性。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息522条，此外企业还拥有行政许可13个。

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