积塔半导体申请半导体器件及其制造方法专利，增强半导体器件可靠性和稳定性

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121924780A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供半导体器件及其制造方法，通过对侧墙介质层进行分区氟离子注入，使侧墙介质层沿高度方向自上而下形成第一分区和第二分区，其中第一分区基于氟离子注入形成表面致密层，使表面致密层在刻蚀工艺中的刻蚀速率低于第二分区。这样，对侧墙介质层进行刻蚀，在刻蚀过程中，利用表面致密层在刻蚀工艺中的刻蚀速率低于第二分区，刻蚀去除延伸介质层和部分第二分区，剩余第一分区和第二分区共同形成上宽下窄的侧墙结构，其在靠近底部的位置提供了显著扩大的离子注入工艺窗口。这样，有源区掺杂区域能够获得更大的横向扩展范围，可有效延伸至沟道边缘甚至沟道下方，同时实现更深的垂直掺杂深度，从而增强半导体器件可靠性和稳定性。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1987次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1377条，此外企业还拥有行政许可201个。

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