中科汇珠申请液相法SiC衬底表面金属污染去除方法专利，解决碳化硅衬底表面金属杂质含量超标的问题

国家知识产权局信息显示，东莞市中科汇珠半导体有限公司申请一项名为“液相法SiC衬底表面金属污染去除方法”的专利，公开号CN121969057A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种液相法SiC衬底表面金属污染去除方法。液相法SiC衬底表面金属污染去除方法包括如下步骤：对SiC衬底进行清洗处理；对清洗处理后的所述SiC衬底进行低温气相清洗处理；以及，对低温气相清洗处理后的所述SiC衬底进行高温气相清洗处理。通过使用卤素化合物气氛的高温气相退火方法，将SiC衬底表面的金属杂质转化为沸点低的金属氯化物，然后在高温下以气体的形式排出，解决碳化硅衬底表面金属杂质含量超标的问题。

天眼查资料显示，东莞市中科汇珠半导体有限公司，成立于2020年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3641.2984万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞市中科汇珠半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。