芯粤能申请半导体器件及其制备方法专利，能够提升芯片有效导通面积

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121968698A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，器件设含第一区、第二区的元胞区与外围区，基底包括依次层叠的衬底和外延层；元胞区外延层内设有元胞结构，栅极结构由元胞区延伸至外围区，并对应一元胞结构；第一导电层至少包括位于元胞区并与元胞结构电连接的第一导电插塞、位于外围区并与栅极结构电连接的第二导电插塞；第二导电层含源极导电部、栅极导电部及第一连接结构，源极导电部位于第一区并电连接第一导电插塞，栅极导电部位于第二区且与元胞结构电性隔离，第一连接结构位于外围区并连接多个第二导电插塞与栅极导电部。本申请的半导体器件及其制备方法能够提升芯片有效导通面积，降低导通电阻。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目47次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可101个。

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