首芯半导体申请间隙填充方法专利，显著提升填充效果

国家知识产权局信息显示，江苏首芯半导体科技有限公司申请一项名为“间隙填充方法”的专利，公开号CN121985798A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请公开了一种间隙填充方法。该间隙填充方法包括：将具有间隙的衬底置于沉积腔室内；在第一沉积步骤中向沉积腔室内通入混合的第一载气与反应气体，以在衬底表面沉积氧化物薄膜；在第二沉积步骤中向沉积腔室内通入混合的第二载气与反应气体，以在衬底表面继续沉积氧化物薄膜，其中，第一载气的分子量小于第二载气的分子量。通过交替使用两种载气，在提升填充效率的同时，还能减少薄膜的裂纹，显著提升填充效果。

天眼查资料显示，江苏首芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1433.9071万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏首芯半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可22个。

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