格恩半导体申请具有渐变菲利浦电离度波导层的氮化镓基半导体激光器专利，提升激光器的内量子效率

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有渐变菲利浦电离度波导层的氮化镓基半导体激光器”的专利，公开号CN121983854A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提出了一种具有渐变菲利浦电离度波导层的氮化镓基半导体激光器，上波导层和下波导层的SIMS测试In离子强度分布或In原子浓度分布的拟合曲线、分离能分布的拟合曲线、菲利浦电离度分布的拟合曲线均满足LogNormal或Extreme函数分布，通过化学键离子性与共价性的连续渐变，构建连续的能带梯度，实现波导层和有源层的极化电场的平滑过渡与界面缺陷的抑制，实现渐变菲利浦电离度构建连续的离子性与共价性梯度，消除异质界面的菲利普电离度突变，抵消纵向内建电场降低蓝移，提升电子空穴波函数的交叠率与降低载流子逃逸，提升激光器的内量子效率，并抑制菲利浦电离度突破导致的界面缺陷。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息523条，此外企业还拥有行政许可13个。

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