云潼科技取得平面SiC MOSFET器件结构及其制造方法专利

国家知识产权局信息显示，深圳云潼微电子科技有限公司、重庆云潼科技有限公司取得一项名为“一种平面SiC MOSFET器件结构及其制造方法”的专利，授权公告号CN121604472B，申请日期为2026年1月。

天眼查资料显示，深圳云潼微电子科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本750万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳云潼微电子科技有限公司专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

重庆云潼科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本961.6794万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可11个。

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