北极芯微申请单光子雪崩二极管器件及其制造方法专利，能够降低暗噪声水平并且实现单光子雪崩二极管器件低工作电压

国家知识产权局信息显示，武汉北极芯微电子有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管器件及其制造方法”的专利，公开号CN122028526A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种单光子雪崩二极管及其制造方法。其中，单光子雪崩二极管器件包括：依次堆叠的感光吸收层和光路层，所述光路层设置于所述感光吸收层的进光侧；所述光路层，用于透过入射光，且所述光路层对入射光中目标波段的光子的透过率大于对非目标波段的光子的透过率；所述感光吸收层，包括耗尽雪崩层，所述耗尽雪崩层用于吸收目标波段的光子并产生雪崩电流；其中，所述耗尽雪崩层与所述光路层相邻设置。这里，能够降低暗噪声水平并且实现单光子雪崩二极管器件低工作电压，降低单光子雪崩二极管器件的应用难度。

天眼查资料显示，武汉北极芯微电子有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5100万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉北极芯微电子有限公司专利信息28条，此外企业还拥有行政许可2个。

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