兴华芯申请一种蚀刻方法专利，能够使得线宽分布更加均匀

国家知识产权局信息显示，兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司申请一项名为“一种蚀刻方法”的专利，公开号CN122054928A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明公开一种蚀刻方法，其根据待蚀刻区域的图形透光率，分次进行蚀刻，其中每次蚀刻的图案区域的透光率的差值不大于预设值，且针对不同透光率的图形，采用不同的蚀刻条件。通过这一方法，在面对产片各区域透光率差异较大时，能够使得线宽分布更加均匀，提升产品品质。

天眼查资料显示，兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司，成立于2022年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本165000万人民币。通过天眼查大数据分析，兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可8个。

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