株洲火炬安泰申请应用于高透过薄膜的氧化锡基靶材及其制备方法专利，有效解决单一掺杂导致的薄膜透光率下降、靶材致密度低的技术缺陷

国家知识产权局信息显示，株洲火炬安泰新材料有限公司申请一项名为“一种应用于高透过薄膜的氧化锡基靶材及其制备方法”的专利，公开号CN122036343A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种应用于高透过薄膜的氧化锡基靶材及其制备方法，所述靶材以氧化锡为基体，掺杂元素包括镓和氟，各组分的原子百分含量为：Ga：0.5~5at%，F：0.3~3at%，余量为Sn。本发明选用镓、氟双元素协同掺杂的氧化锡体系作为靶材基体，摒弃了现有技术中单掺杂Sb或F的技术方案，有效解决了单一掺杂导致的薄膜透光率下降、靶材致密度低的技术缺陷。

天眼查资料显示，株洲火炬安泰新材料有限公司，成立于2017年，位于株洲市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本11900万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲火炬安泰新材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目71次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可13个。

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