江苏首芯半导体申请沉积设备及双腔室沉积设备专利，实现不同膜层沉积速率的调控

国家知识产权局信息显示，江苏首芯半导体科技有限公司申请一项名为“沉积设备及双腔室沉积设备”的专利，公开号CN122039021A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体制造领域，特别涉及一种沉积设备及双腔室沉积设备。沉积设备，应用于等离子增强化学气相沉积，包括：分气盘以及设备腔体，分气盘位于设备腔体顶部，且与设备腔体围成沉积腔室，设备腔体的侧壁上具有抽气口，抽气口连接沉积设备对应的抽气泵；喷淋板，位于分气盘底部；喷淋板上具有隔板，喷淋板、分气盘与隔板围成多个进气区域，多个进气区域中不同进气区域与抽气口之间的间距不相同；分气盘上具有多个进气通道，进气通道与进气区域对应，且不同进气区域所对应的进气通道连接不同气源，不同气源所提供的反应物对应的膜层沉积速率不同。

天眼查资料显示，江苏首芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1433.9071万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏首芯半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可22个。

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