科阳半导体申请射频器件三维集成封装结构及其制备方法专利，能够减少芯片热量积累

国家知识产权局信息显示，苏州科阳半导体有限公司;西安电子科技大学申请一项名为“射频器件三维集成封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN122069773A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明实施例提供了一种射频器件三维集成封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该射频器件三维集成封装结构包括第一芯片、第二芯片、第一围栏支撑层、第一覆膜层、第一金属互联层、第三芯片、第四芯片、第二围栏支撑层、第二覆膜层和第二金属互联层，相较于现有技术，本发明实施例采用芯片背对背直接贴合的方式来实现芯片堆叠和集成，无需引入基板，缩小了封装厚度和尺寸，同时避免埋入槽设计，能够减少芯片热量积累。而金属互联通孔可以不用在基板上单独制作，无需在基板上单独设计导电通孔和埋入槽，在成膜阶段采用常规光刻工艺即可，工艺简单成本低，且加工效率高。

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