武汉新芯申请半导体器件及其形成方法专利，能够提高器件散热能力

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN122073998A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件中，第一器件基板中的第一衬底包括依次堆叠设置的底衬底层、埋氧层和器件层，第一晶体管形成于所述器件层表面，第一晶体管的第一源漏区和第二源漏区分别通过所述第一源漏插塞和所述第二源漏插塞引出至第一衬底的正面和背面，在所述半导体器件工作时，所述第二源漏区及周围产生的热量可以通过第二源漏插塞从第一衬底背面散发，能够提高器件散热能力，而且有助于降低第一衬底正面的金属连线密度，有助于减小寄生电容和串扰，提高器件速度和可靠性，提高良率。所述形成方法可形成上述半导体器件。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目227次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1856条，此外企业还拥有行政许可109个。

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