积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，有利于提升半导体器件的击穿电压和栅氧可靠性

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122121227A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底的表面形成有外延层，于外延层远离衬底的一侧形成沟槽；通过热氧化工艺形成第一栅氧化层，第一栅氧化层至少覆盖沟槽侧壁；通过化学气相沉积工艺形成第二栅氧化层，第二栅氧化层填充沟槽底部，且覆盖第一栅氧化层背离外延层的表面，第一栅氧化层和第二栅氧化层共同构成栅氧结构，栅氧结构在沟槽底部的厚度大于或等于栅氧结构在沟槽侧壁上的厚度。该半导体结构的制备方法有利于提升半导体器件的击穿电压和栅氧可靠性。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2020次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1391条，此外企业还拥有行政许可205个。

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