格恩半导体申请具有渐变介电常数波导层的氮化镓基半导体激光器专利，波导层介电常数沿外延生长方向呈非线性连续函数分布

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有渐变介电常数波导层的氮化镓基半导体激光器”的专利，公开号CN122118519A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本说明书实施例提供一种具有渐变介电常数波导层的氮化镓基半导体激光器，该氮化镓基半导体激光器从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层为渐变介电常数上波导层，下波导层为渐变介电常数下波导层，渐变介电常数上波导层和渐变介电常数下波导层中的铟（In）离子强度分布、铟（In）原子浓度分布、共价键能量分布、介电常数分布、辐射复合系数分布中的至少一个沿外延生长方向呈非线性连续函数分布。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息534条，此外企业还拥有行政许可13个。

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