泰科天润申请提高击穿电压的碳化硅PiN二极管专利，提高了器件的击穿电压

国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司申请一项名为“一种提高击穿电压的碳化硅PiN二极管及制备方法”的专利，公开号CN122161111A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供了一种提高击穿电压的碳化硅PiN二极管及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底上侧面外延形成外延层；通过外延技术或者离子注入形成P型层；在P型层上形成第一阻挡层，刻蚀所述第一阻挡层形成通孔，离子注入，形成离子注入区；去除第一阻挡层，重新形成第二阻挡层，刻蚀第二阻挡层形成通孔，之后刻蚀所述P型层；去除第二阻挡层，重新形成第三阻挡层，刻蚀第三阻挡层形成通孔，离子注入，形成终端结构；按照现有技术完成二极管制造，避免了反向偏置时的电场集中效应，提高了器件的击穿电压。

天眼查资料显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司，成立于2011年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本28772.76万人民币。通过天眼查大数据分析，泰科天润半导体科技（北京）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息334条，此外企业还拥有行政许可22个。

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