泰科天润申请具备P型深井外延的碳化硅MOSFET专利，提升器件可靠性

国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司申请一项名为“一种具备P型深井外延的碳化硅MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN122227611A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种具备P型深井外延的碳化硅MOSFET及其制备方法，方法包括：步骤1、在N型基板上依次生长N型缓冲层和N型外延层；步骤2、在N型外延层上形成P型深井外延层；步骤3、利用第一光罩形成JFET注入区，隔离形成Pwell区和终端P型保护环；步骤4、利用第二光罩形成P型掩埋区和N+源极区；步骤5、利用第三光罩形成P+接触区和终端主结区；步骤6、执行退火工艺；步骤7、利用第四光罩形成场氧化层；步骤8、依次形成栅极氧化层和复晶硅层；步骤9、形成ILD隔离氧化层；步骤10、形成源极金属硅化物层；步骤11、利用第七光罩刻蚀ILD隔离氧化层；步骤12、利用第八光罩形成源极区接触金属和栅极区接触金属；步骤13、形成背栅金属。

天眼查资料显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司，成立于2011年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本28772.76万人民币。通过天眼查大数据分析，泰科天润半导体科技（北京）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息334条，此外企业还拥有行政许可22个。

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