润鹏半导体申请BCD工艺器件及制备方法专利，提高齐纳二极管的温度-击穿电压线性度

国家知识产权局信息显示，润鹏半导体（深圳）有限公司申请一项名为“BCD工艺器件及制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN122227659A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本申请提供了一种BCD工艺器件及制备方法、半导体器件，涉及半导体器件技术领域，该齐纳二极管包括：衬底，位于衬底一侧的阱区层，位于阱区层背离衬底一侧的第一注入区、第二注入区和多晶硅结构，位于阱区层中的第三注入区，第一注入区和第二注入区朝向阱区层的内部延伸，第二注入区环绕第一注入区，第三注入区位于第一注入区的下方，包裹第一注入区除背离衬底的一侧，多晶硅结构环绕第一注入区，包括多晶硅层和包裹多晶硅层除背离衬底一侧的第一绝缘层，第一注入区和第三注入区形成齐纳二极管，且多晶硅层与第二注入区短接，以可以有效解决齐纳二极管的击穿不均匀的问题，提高了齐纳二极管的温度-击穿电压线性度。

天眼查资料显示，润鹏半导体（深圳）有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1500000万人民币。通过天眼查大数据分析，润鹏半导体（深圳）有限公司参与招投标项目2208次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可247个。

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