格兰菲智能科技申请半导体器件结构及其制备方法专利，减小了开启损耗和开关损耗

国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122294519A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括：第一导电类型的衬底；第一栅极沟槽结构，包括：第一栅极沟槽，位于第一导电类型的衬底内；第一栅氧化层，覆盖第一栅极沟槽的侧壁和底部；覆盖第一栅极沟槽底部的第一栅氧化层的厚度大于覆盖第一栅极沟槽侧壁的第一栅氧化层的厚度；第一栅极，位于第一栅极沟槽内；第二导电类型的深阱区，位于第一栅极沟槽结构的下方，包围第一栅极沟槽结构的底部。本申请减小了开启损耗和开关损耗，减小了米勒电容，增加了开关速度，减弱了第一栅极沟槽结构之间的电场畸变，降低了EMI震荡，能够保证半导体器件结构的耐压可靠性。

天眼查资料显示，格兰菲智能科技股份有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本13918.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，格兰菲智能科技股份有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息20条，专利信息385条，此外企业还拥有行政许可27个。

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