消息称三星电子加速1.4nm先进制程研发，深化与应材、泛林合作

韩媒the bell当地时间26日报道称，三星电子正重新加速1.4nm (SF1.4) 工艺节点的研发工作。该先进制程一度计划2027年量产，但由于晶圆代工业务重心调整，量产时间推迟至2029年。

报道指出，三星电子近期向应用材料、泛林研究等主要半导体设备企业分享了SF1.4工艺方案，希望实现上下游协力，加速打造最适合该节点的设备组合，包括标准设备的定制化版本。

三星电子已从ASML引进了High NA EUV光刻图案化设备，这一机台部署在NRD-K半导体研发综合体中。对于三星电子而言，High NA EUV光刻机预计最早在SF1.4节点用于生产。

此外，三星电子也已针对第12代V-NAND订购设备。这一工艺预计2030年前后量产，采用晶圆堆叠结构。