杰平方半导体申请碳化硅MPS二极管结构及其制造方法专利，提升击穿电压

国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“碳化硅MPS二极管结构及其制造方法”的专利，公开号CN122318225A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅MPS二极管结构及其制造方法，属于碳化硅功率器件技术领域，该碳化硅MPS二极管结构的制造方法，包括提供衬底，衬底的正面设置有外延层，在外延层上沉积氧化硅层；刻蚀氧化硅层，并刻蚀一定深度的外延层，形成若干个沟槽；至少对沟槽的底部进行离子注入，形成对应数量的离子注入区；在部分离子注入区上的沟槽中形成欧姆接触金属；在欧姆接触金属、氧化硅层和剩余离子注入区的顶部形成肖特基接触金属。通过对离子注入区顶部进行刻蚀，减薄部分的外延层的厚度，提升击穿电压，提升欧姆接触的效率，降低接触电阻导通压降，在同样的击穿电压和导通压降情况下，降低对外延层厚度的制造要求，降低晶圆制造成本。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息89条，此外企业还拥有行政许可2个。

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