积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利，有效提升器件良率

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122318298A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括：提供衬底，包括第一区域和第二区域。于第一区域内形成至少两个第一栅极结构，于第二区域内形成第二栅极结构。同步于第一栅极结构的侧壁形成第一侧墙，于第二栅极结构的侧壁形成第二侧墙。形成硬掩模层；硬掩模层覆盖第二侧墙、第二栅极结构和第二区域的衬底，并至少暴露出相邻第一侧墙之间的衬底。基于硬掩模层刻蚀第一区域内的相邻第一栅极结构之间的衬底，以于相邻第一栅极结构之间形成西格玛沟槽。于西格玛沟槽内形成硅锗层。化学刻蚀去除硬掩模层。本申请有利于能够提高不同器件区域之间的侧墙厚度一致性，并有效避免硬掩模材料残留问题，从而有效提升器件良率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2079次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1411条，此外企业还拥有行政许可205个。

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