中锗科技申请磷化铟EPD腐蚀工艺专利，各晶面缺陷显示完整度从现有工艺的70%提升至98%以上

国家知识产权局信息显示，中锗科技有限公司申请一项名为“一种磷化铟EPD腐蚀工艺”的专利，公开号CN122327381A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料检测技术领域，特别是涉及一种磷化铟EPD腐蚀工艺，首先提供磷化铟单晶样品，将其浸入预调平化学抛光液中进行样品晶面预调平预处理，后对磷化铟单晶样品干燥处理；选用溴甲醇体系作为基础腐蚀液，加入氟化铵作为缓蚀剂，循环活化配制腐蚀液；将干燥处理后的磷化铟单晶样品浸没于活化后的腐蚀液中，采用分段梯度控温模式进行腐蚀，采用梯度清洗结合钝化处理清除表面残留腐蚀离子。本发明提供的磷化铟EPD腐蚀工艺解决了不同晶面腐蚀速率失衡的问题，各晶面缺陷显示完整度从现有工艺的70%提升至98%以上，彻底消除缺陷漏检现象。

天眼查资料显示，中锗科技有限公司，成立于2012年，位于南京市，是一家以从事金属制品业为主的企业。企业注册资本22033.8984万人民币。通过天眼查大数据分析，中锗科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可49个。

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