浙江驰拓科技申请半导体工艺测试器件及方法专利，能够对半导体器件的制备过程中所引起的PID效应对MOS器件的损伤进行测试

国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“半导体工艺测试器件及方法”的专利，公开号CN122341166A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体工艺测试器件，包括：衬底，衬底具有MOS器件；其中，MOS器件的栅极用于与第一测试节点电连接，MOS器件的源极用于与第二测试节点电连接，MOS器件的体极用于与第三测试节点电连接；底部金属层，底部金属层设置在衬底上，底部金属层与MOS器件的漏极电连接；工艺测试阵列，工艺测试阵列设置在底部金属层上方；测试互连结构，测试互连结构设置在底部金属层上方，测试互连结构与工艺测试阵列间隔设置，测试互连结构与底部金属层电连接，测试互连结构用于与第四测试节点电连接。本发明能够对半导体器件的制备过程中所引起的PID效应对MOS器件的损伤进行测试，有助于半导体器件的工艺优化，改善半导体器件的性能。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目100次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息503条，此外企业还拥有行政许可8个。

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