投资93亿美元，美光广岛工厂扩建动工，预计2028年夏季出货HBM

当地时间7月4日，美光科技正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。该项目总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元），旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮下的旺盛市场需求。

HBM作为英伟达AI处理器的关键组件，新产线预计将于2028年夏季左右开始出货。为支持该项目推进，日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元的补贴。

美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra在奠基仪式上表示：“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆，就是在广岛制造的。”

公开资料显示，美光于2013年收购破产的日本DRAM制造商尔必达存储器公司后，接管了广岛工厂。美光日本分公司代表董事Kota Nosaka指出：“广岛工厂最大的优势在于，能够快速向客户交付最先进、高性能的产品。在这里开发下一代芯片，直接关系到美光的整体战略布局。”他同时透露，目前广岛工厂所需芯片材料约80%来自日本本土供应商。

美光方面称，工厂扩建完成后，将有助于提升面向人工智能服务和自动驾驶汽车所需芯片的能效和数据传输效率。日本经济产业大臣赤泽亮正出席奠基仪式时表示，美光作为日本境内唯一的DRAM制造商，其价值不可估量，若有其他海外芯片制造商希望在日本建厂，日本政府将“尽其所能”提供支持。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。