青禾晶元申请重构晶圆制造方法专利，可支持直接用于封装键合

国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆、键合封装结构与光电器件”的专利，公开号CN122349321A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明属于半导体材料加工制造领域，本发明提供了重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆、键合封装结构与光电器件，该制造方法包括将小尺寸的功能材料进行离子注入后分割为若干子片，再将子片与大尺寸的目标衬底进行键合处理，经统一裂片退火后，形成功能材料的初始薄膜层；对初始薄膜层进行修整处理后，可形成全局表面平整的修整薄膜层，得到重构晶圆。该大尺寸重构晶圆具有与整张键合晶圆同样的特性，可以支持直接用于封装键合，且功能材料的薄膜层之下的其他功能层无损伤，不影响重构晶圆的特性。该制造方法十分适用于8英寸~12英寸的光电晶圆的重构制备。

天眼查资料显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司，成立于2022年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。