晶越半导体申请水平热壁式化学气相沉积设备专利，提高前驱气体的热解效率

国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种水平热壁式化学气相沉积设备”的专利，公开号CN122344777A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体晶体制造领域，尤其涉及一种水平热壁式化学气相沉积设备，其包括进气系统、化学气相沉积设备炉体体、抽气系统以及磁场发生装置，所述化学气相沉积设备炉体包括进气口、出气口、衬底基座、隔热层、石墨层和石英壁，所述进气口包括第一进气通道和第二进气通道，所述第二进气通道具有延伸的气体预热回路。本发明在向反应炉内通过第一进气通道通入前驱气体前可先向第二进气通道通入载流气体或保护性气体，以使得进入反应腔室内的主要气流氛围处于相对高温的状态，降低通过低温入口条件的第一进气通道流入的气流对反应腔室内气氛温度差异的影响，提高前驱气体的热解效率，提升气相物质分布均匀性。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可7个。

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