鸿钧微电子申请基于DDR芯片的超温调节装置及方法专利，能够保证各DRAM颗粒的数据稳定性

国家知识产权局信息显示，广东鸿钧微电子科技有限公司申请一项名为“一种基于DDR芯片的超温调节装置及方法”的专利，公开号CN122387225A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提出一种基于DDR芯片的超温调节装置及方法，涉及半导体技术领域。本申请中超温调节装置包括温度获取模块、超温调整模块。针对任一采样周期，温度获取模块获取待测DDR芯片上各温度源位置对应的温度状态信息；然后超温调整模块基于温度状态信息确定目标温度源位置，基于温度调整规则判定目标温度源位置的超温等级。随后基于超温等级向热管理执行单元发送对应的散热控制指令，调整待测DDR芯片表面的热功率，和/或驱动目标温度源位置进入对应的数据保持增强机制，以改善待测DDR芯片的电荷维持能力，直到目标温度源位置处的实时温度低于目标温度值。基于此，本申请在降低软件复杂度的基础上，能够保证各DRAM颗粒的数据稳定性。

天眼查资料显示，广东鸿钧微电子科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3093.3383万人民币。通过天眼查大数据分析，广东鸿钧微电子科技有限公司共对外投资了5家企业，财产线索方面有商标信息35条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可2个。

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