东方晶源申请半导体集成电路缺陷检测模型建模方法专利，提高缺陷检测的准确性

国家知识产权局信息显示，东方晶源微电子科技（上海）有限公司申请一项名为“半导体集成电路的缺陷检测模型的建模方法与计算机设备”的专利，公开号CN122473079A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体集成电路的缺陷检测模型的建模方法与计算机设备。其中半导体集成电路的缺陷检测模型的建模方法包括：利用电子束缺陷检测设备采集半导体样本的EBI图像，EBI图像带有缺陷区域的缺陷坐标标注，并利用缺陷复检扫描电镜采集缺陷区域的DR‑SEM图像，构建由EBI图像、DR‑SEM图像、缺陷坐标标注组成的三元组数据；构建双分支卷积神经网络，通过双分支卷积神经网络的两个分支分别提取EBI图像的全局特征和DR‑SEM图像的细节特征，并由双分支卷积神经网络的特征融合模块对全局特征和细节特征进行融合，基于双分支卷积神经网络构建缺陷检测模型；基于三元组数据对缺陷检测模型进行训练；以及在独立的测试集上对缺陷检测模型的性能指标进行评估和优化。

天眼查资料显示，东方晶源微电子科技（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，东方晶源微电子科技（上海）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可1个。

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