中电九天申请基于工艺轨迹的晶圆缺陷根因分析方法专利，提升了工艺优化与良率

国家知识产权局信息显示，中电九天智能科技有限公司申请一项名为“一种基于工艺轨迹的晶圆缺陷根因分析方法、系统、设备及介质”的专利，公开号CN122490129A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造数据分析技术领域，具体地说，涉及一种基于工艺轨迹的晶圆缺陷根因分析方法、系统、设备及介质；首先预处理生成标准工艺轨迹；其次通过子串核嵌入将异构工序转为统一向量；然后采用约束型循环神经网络实现变长轨迹向量化与缺陷密度预测；最后基于部分轨迹对比计算可加性归因得分，由累积曲线跳变点定位根因；从一致性、精度、显著性、吻合度完成归因评价，提升了工艺优化与良率，适用于前道/后道制造、工艺集成与良率爬坡全场景。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。