武汉新芯申请半导体器件制造方法专利，提升金属硅化物层热稳定性

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN122497105A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供第一半导体基体，其中，第一半导体基体包括第一半导体衬底和位于第一半导体衬底之上的第一栅极结构；在第一栅极结构的表面形成铪掺杂的第一金属硅化物层。即本申请中，通过在第一栅极结构的表面形成铪掺杂的第一金属硅化物层，可以有效的提升第一金属硅化物层的热稳定性，在后续顶层器件的制造过程中，可以有效防止因为更高的瞬时温度而发生的严重退化，以避免从低阻的硅化物相转变为高阻相，使得接触电阻稳定，而半导体器件所对应的驱动电流也趋于稳定，进而防止半导体器件的失效，提升了半导体器件的性能。

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