武汉新芯申请半导体器件及其制程方法专利，减少光栅耦合器的插入损耗

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制程方法”的专利，公开号CN122488302A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体器件及其制程方法，该半导体器件的第二器件结构体包括光栅耦合器，第一器件结构体与第二器件结构体键合在一起；至少一个沟槽分别沿第一器件结构体的第一表面向靠近第二器件结构体的一侧的方向延伸，且至少一个沟槽围合形成增强空间，增强空间的位置与光栅耦合器对应，第一表面与第一器件结构体的键合面相背。因此，光线入射至光栅耦合器的过程中通过至少一个沟槽围合的增强空间进行传输，沟槽内的低损耗介质可减少光线在非传输方向上通过界面传播至增强空间之外的可能性，以更多将入射光线限制在增强空间内的低损耗区域，减少光线的传播损耗进而减少光栅耦合器的插入损耗，有利于提高半导体器件的传输速率。

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