芯率智能科技申请半导体封装结构及制作方法专利，能够减轻高算力、高能耗的晶片散热压力

国家知识产权局信息显示，芯率智能科技（苏州）有限公司申请一项名为“半导体封装结构及制作方法”的专利，公开号CN122497419A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，具体涉及半导体封装结构及制作方法，方法包括：S101，提供半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：多个依次层叠的晶片；所述晶片沿其中心至边缘的方向被划分有第一区、第二区和第三区；多个功能性通孔，所述功能性通孔穿过至少一个所述晶片；电气模块，所述电气模块与所述功能性通孔连接以进行电气信号传输；S102，设置多个虚拟通孔，所述虚拟通孔穿过至少一个所述晶片以形成虚拟通道。本发明提供了一种基于虚拟通孔的散热方案，其能够减轻高算力、高能耗的晶片散热压力。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。