晶亦精微申请器件导电线路表面金的化学机械研磨方法专利，使导电线路的表面粗糙度Ra达到小于等于5nm

国家知识产权局信息显示，北京晶亦精微科技股份有限公司申请一项名为“一种器件导电线路表面金的化学机械研磨方法”的专利，公开号CN122539261A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体制造技术领域。具体涉及一种器件导电线路表面金的化学机械研磨方法。方法包括以下步骤：提供研磨基体；将研磨基体移动至第一抛光垫，进行第一抛光步骤，使导电线路的表面粗糙度Ra达到15nm~30nm；将研磨基体移动至第二抛光垫，进行第二抛光步骤，去除量10nm~30nm；使导电线路的表面粗糙度Ra达到小于等于5nm；将研磨基体移动至第三抛光垫，进行第三抛光步骤，进一步去除导电线路表面残留的抛光液和杂质残留。其中第一抛光垫为硬垫，第二抛光垫和第三抛光垫为软垫；第一抛光垫的硬度至少大于第二抛光垫的硬度邵氏D40以上；第一抛光垫的硬度至少大于第三抛光垫的硬度邵氏D40以上。

天眼查资料显示，北京晶亦精微科技股份有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本16646.135万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶亦精微科技股份有限公司参与招投标项目72次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可9个。

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