积塔半导体申请具有包裹式存储结构的三维存储器及其制造方法专利，实现对三维存储器存储性能的大幅提升

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“具有包裹式存储结构的三维存储器及其制造方法”的专利，公开号CN122579624A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及一种具有包裹式存储结构的三维存储器及其制造方法。所述具有包裹式存储结构的三维存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、底层介质层、贯穿底层介质层的第一接触结构、中间介质层以及贯穿中间介质层且暴露第一接触结构的存储孔；形成至少位于存储孔内的存储结构，存储结构包括内电极层、包裹内电极层的存储层以及包裹存储层的外电极层，外电极层与第一接触结构接触电连接，内电极层包括多晶硅材料和掺杂元素；形成位于基底上方且与内电极层电连接的第一引出结构。本发明在相同的芯片面积条件下，有效存储面积增大，实现对三维存储器存储性能的大幅提升。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2129次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1420条，此外企业还拥有行政许可206个。

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