积塔半导体申请一种MOSFET器件结构专利，能够消除或减弱双峰效应

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种MOSFET器件结构”的专利，公开号CN122579684A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种MOSFET器件结构。本发明所述MOSFET器件结构包括半导体衬底，所述半导体衬底内具有通过隔离结构定义出的有源区，所述有源区在第一方向上具有第一长度；栅极结构，包括多晶硅栅极，所述多晶硅栅极设置于所述半导体衬底表面并对应所述有源区，所述多晶硅栅极在所述半导体衬底表面的正投影完全落入所述有源区内，所述多晶硅栅极在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度小于所述第一长度。本发明能够使注入阱掺杂远离隔离结构，有效减弱或消除了隔离结构对阱区的“吸硼排磷”效应；还能够使得有效沟道远离隔离结构区域，从而有源区拐角形貌将不会对器件产生影响。本发明能够消除或减弱双峰效应。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2120次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1420条，此外企业还拥有行政许可206个。

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