宁夏中欣晶圆申请半导体单晶硅晶片缺陷区域分布检测方法专利，采用双阈值分区算法识别并标识空位富集型缺陷区域和自间隙硅原子富集型缺陷区域

国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“半导体单晶硅晶片缺陷区域分布检测方法”的专利，公开号CN122567771A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明属于半导体材料缺陷检测技术领域，具体涉及一种半导体单晶硅晶片缺陷区域分布检测方法，包括对待检测硅片进行预处理；对预处理后的待检测硅片进行两步稳定热处理，以在空位富集型缺陷区域Pv和自间隙硅原子富集型缺陷区域Pi内形成氧析出核并使其长大为复合中心；对两步稳定热处理的硅片以预定降温速率降温至预定温度；对降温至预定温度的硅片的全域进行少子寿命面扫描，生成少子寿命面分布图；根据少子寿命面分布图，采用双阈值分区算法识别并标识空位富集型缺陷区域Pv和自间隙硅原子富集型缺陷区域Pi。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息405条，此外企业还拥有行政许可26个。

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