重庆万国半导体取得降低栅极电阻的功率半导体器件专利，极大地降低了栅极电阻

国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司取得一项名为“一种降低栅极电阻的功率半导体器件”的专利，授权公告号CN224653866U，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种降低栅极电阻的功率半导体器件，包括硅衬底、外延层和二氧化硅介质层，所述外延层上形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽的槽壁上形成有一层栅氧化层，所述栅极沟槽中设置有栅极多晶硅，所述栅极多晶硅的一侧或两侧设置有栅极金属布线；所述栅极沟槽的两侧形成有体区，所述体区的上部形成有源区；所述二氧化硅介质层上形成有向下伸入源区的源区通孔，在所述源区通孔中设置有金属栓。本实用新型中，通过在栅极多晶硅设置栅极金属布线，使功率半导体芯片内元胞的栅极信号主要通过金属而不是传统的多晶硅传输，由于金属的电阻率大大低于多晶硅，因此极大地降低了栅极电阻，提高了开关速度与线性区能力，优化了器件性能。

天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本38115.9095万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目53次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息156条，此外企业还拥有行政许可23个。

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