积塔半导体申请半导体器件制造方法专利，提高减薄过程中的受力均匀性及材料去除均匀性

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体器件制造方法”的专利，公开号CN122719108A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件制造方法，包括：提供具有正面和背面的晶圆；在所述正面形成焊盘开口，以露出焊盘区域；对所述背面进行减薄；在所述减薄后，于所述正面形成有机钝化层，所述有机钝化层具有对应于所述焊盘开口的开口。与现有技术相比，本发明将有机钝化层的形成工序设置于背面减薄工序之后，使晶圆在减薄过程中避免形成由焊盘区域与有机钝化层之间高度差产生的台阶结构，从而降低正面表面形貌对背面减薄过程的影响，提高减薄过程中的受力均匀性及材料去除均匀性，改善减薄后晶圆的背面平整度和厚度均匀性，降低总厚度偏差，并有利于提高后续背面离子注入、退火及金属化工艺的稳定性和器件制造良率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2140次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1435条，此外企业还拥有行政许可208个。

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